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Sanyo NTMFS4922NET1G
| Artikelnummer: | NTMFS4922NET1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 269+ | $0.93 |
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- Versandinformationen
- Verpackung
-
Sanyo NTMFS4922NET1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTMFS4922NET1G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 30A, 10V Verlustleistung (max) 930mW (Ta), 69.44W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads Paket Bulk Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5505 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76.5 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17.1A (Ta), 147A (Tc) NTMFS4922NET1G Einzelheiten PDF [English] NTMFS4922NET1G PDF - EN.pdf -
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